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第201章我要做慈善（第3页）

“涉及到多少事吗？”

“光刻机和芯片已经进入了关键时期，非常缺钱，我认为应该有所侧重！”

“慈善，要量力而行，一旦光刻机和芯片成功，到时候你才真正有钱去做更多的慈善！”

赵岂年点了点头！

慈善，花的是钱，没钱，想做都做不了！

“行，我先慢慢做着，不着急！”

赵龙腾点了点头：“嗯！不说慈善了，说说光刻机！”

“光刻机到了关键时刻，我们已经快速攻克了130纳米，并且又顺利在之前的光刻机上改进出了90纳米光刻机，但是在65纳米光刻机的改进上，我们卡住了！”

对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术台阶；45纳米是一个技术台阶；22纳米是一个技术台阶！

从193升级到130纳米，再到90纳米！

90纳米的技术升级到65纳米都不难，难在45纳米上！！

前几年，国内的光刻机技术因为技术本身的壁垒，其实和国外在一个起跑线上！

1965年，国内自主研制的第一块单片集成电路在魔都诞生。

我国步入集成电路时代仅比米国晚了7年，可是比H国早10年。

1977年，GK-3型半自动光刻机诞生！

1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，把加工圆片直径从50毫米提高到75毫米！

1981年，中科院半导体所研制JK-1型半自动接近式光刻机，研制成功两台样机。

米国在20世纪50年代就已经拥有了接触式光刻机，期间相差了二十几年。

1979年，机电部45所开展了分步光刻机的研制，对标的是米国的4800DSW。

1985年，研制出了样机，通过电子部技术鉴定，认为达到4800DSW的水平。

这是中国第一台分步投影式光刻机，采用的是436纳米G线光源，与国外的差距不超过7年！

1990年3月，中科院光电所研制的IOE1010G直接分步重复投影光刻机样机通过评议，工作分辨率1.25微米，主要技术指标接受米国GCA8000型的水平，相当于国外80年代中期水平，差距在五年！

如果不是技术封锁和专利掣肘，国内现在一定不比国外差！

本来就不比国外落后多少，而且，国内的光学技术甚至领先国际！

又加上赵岂年的原因，知道如何打破技术壁垒，一下子跑过了弯道，实现了超车！

在此基础上，再度连续突破，更是天经地义的事情！

而且，在科技界，一旦有了技术积累，在积累的基础上进行突破，会简单很多！

一旦领先，处处领先，甚至不需要担心专利的掣肘！

“被什么卡住了？？”，赵岂年思考了一会后，问道。

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