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第690章（第1页）

“我知道光刻机的涂胶原理其实跟相机胶片暴光差不多，最近我也一直在恶补这方面的知识。

我知道像光刻机的生产效率、良率以及最小分辨率均在不断发展。

而光刻机的最小分辨率由一个公式r=kλna控制。

其中r代表可分辨的最小尺寸也就是我们追求的精度，那么肯定就是r越小越好，k是工艺常数代表我们的工艺技术，λ.....λ...。

λ是什么来着？”

说到这里，李秀成像是卡了壳，挠着腮帮子说道。

周宏一脸好为人师的表情笑道：“λ是光刻机所用光源的波长，我们现在研究的就是g线光刻机，波长346nm。

na代表物镜数值孔径这个东西也就是关键的暴光系统。

这也是最难的东西，我们现在造的都是落后别人十年的参数产品。

反正，光刻机制程工艺水平的发展是一直遵循你说这个公式的。

现在米国的最新型光刻机已经可以生产800nm制程的芯片，我们却还在1200

m徘徊，还差得远啰！”

说到最后，周宏反而一脸失落，也没了开始的兴致。

“哦，真复杂！”李秀成做出一脸我很懵的表情，然后话锋一转道：“但我大致抓到了两个重点，光源、物镜折射率！

想要提升芯片的生产效率和良率，是必须要同时发展光刻机的内部构造和工作模式。

那么我们可以从整体因素考虑，为什么不换一种光源，然后再换一种折射介质？”

“嗯？”周宏回过神来，有些奇怪的说道：“现在光线就g线和i线两种，波长在三百多到四百左右，确实比较大，而且国际上的公同认知是在193

m缩短到157

m制程时会出现瓶颈。

但折射介质是什么说法？”

见周宏来了兴趣，李秀成嘴角微勾然后迅速恢复原状。

这也就是现在的干式微影光刻机和浸没式光刻机的最大区别了！

他故意做出一脸不确定的说道：“光线我觉得可以多做试验，把什么xyz射线啊，紫外线，极光都试试，总能找到最合适的。

至于折射率嘛，现在的光刻机光波是在空气中传播，然后照射暴光。

但我们读书时不是有个知识点，是光进入不同的介质波长会有所改变嘛？

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